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元件参数资料
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参数目录41156
> IRFH5300TR2PBF MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
型号:
IRFH5300TR2PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 30V 40A PQFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFH5300TR2PBF PDF
产品目录绘图
IR Hexfet PQFN
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
1.4 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.35V @ 150µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
120nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
7200pF @ 15V
功率 - 最大
3.6W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-VQFN
供应商设备封装
PQFN(5x6)单芯片焊盘
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1524 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
IRFH5300TR2PBFCT
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